창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN86501LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDN86501LZ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 116m옴 @ 2.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 335pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 600mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN86501LZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDN86501LZ | |
관련 링크 | FDN865, FDN86501LZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
TA-65.000MDD-T | 65MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-65.000MDD-T.pdf | ||
SRR0908-152YL | 1.5mH Shielded Wirewound Inductor 250mA 4 Ohm Max Nonstandard | SRR0908-152YL.pdf | ||
561K-8*10 | 561K-8*10 LY DIP | 561K-8*10.pdf | ||
SF2/23 | SF2/23 INFINEON SOT-23 | SF2/23.pdf | ||
A411 | A411 M/A-COM SMD or Through Hole | A411.pdf | ||
AP73T03GMP-HF | AP73T03GMP-HF APEC SMD or Through Hole | AP73T03GMP-HF.pdf | ||
IDT72142S80P | IDT72142S80P IDT DIP | IDT72142S80P.pdf | ||
MCP14E7-E/SN | MCP14E7-E/SN Microchip SMD or Through Hole | MCP14E7-E/SN.pdf | ||
geFORCE2MXTM 400 | geFORCE2MXTM 400 nVIDIA BGA | geFORCE2MXTM 400.pdf | ||
27LE512-150 | 27LE512-150 SST PLCC | 27LE512-150.pdf | ||
RC4559PE4 | RC4559PE4 TI SMD or Through Hole | RC4559PE4.pdf | ||
C7614-8 | C7614-8 ORIGINAL TO-3 | C7614-8.pdf |