창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN86246 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDN86246 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 261m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 600mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN86246-ND FDN86246TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDN86246 | |
관련 링크 | FDN8, FDN86246 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ2225Y822KBRAT4X | 8200pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y822KBRAT4X.pdf | ||
ACS754SCB-050-PFF-T | ACS754SCB-050-PFF-T ALLEGRO 3-leadCB | ACS754SCB-050-PFF-T.pdf | ||
9398133AC. | 9398133AC. Infineon TQFP144 | 9398133AC..pdf | ||
K4T51163QG-HCE60DT | K4T51163QG-HCE60DT SAMSUNG BGA | K4T51163QG-HCE60DT.pdf | ||
DCS2824-0/1 | DCS2824-0/1 DIAMOND SO-16 | DCS2824-0/1.pdf | ||
YA971S6R | YA971S6R FUJI TO-220F | YA971S6R.pdf | ||
DAC-87H-CBI-V | DAC-87H-CBI-V ORIGINAL SMD or Through Hole | DAC-87H-CBI-V.pdf | ||
MRF989 | MRF989 PANDUIT BGA | MRF989.pdf | ||
NP1J106M6L011 | NP1J106M6L011 SAMWH DIP | NP1J106M6L011.pdf | ||
CV123PC | CV123PC IDT SSOP | CV123PC.pdf | ||
MAX6351LSEUT | MAX6351LSEUT MAXIM SMD or Through Hole | MAX6351LSEUT.pdf |