창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDN361BN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDN361BN Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 193pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDN361BNTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDN361BN | |
| 관련 링크 | FDN3, FDN361BN 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 23JR13E | RES 0.13 OHM 3W 5% AXIAL | 23JR13E.pdf | |
![]() | HO 15-NSM/SP33-1000 | Current Sensor 15A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HO 15-NSM/SP33-1000.pdf | |
![]() | 34015121 | LIQUID LEVEL SENSORS | 34015121.pdf | |
![]() | 220MXC680M35X25 | 220MXC680M35X25 RUBYCON DIP | 220MXC680M35X25.pdf | |
![]() | TLV2464AID | TLV2464AID TI DIP14 | TLV2464AID.pdf | |
![]() | 1596A-07 | 1596A-07 X SMDDIP | 1596A-07.pdf | |
![]() | PIN2D11HP-1R0M | PIN2D11HP-1R0M EROCORE NA | PIN2D11HP-1R0M.pdf | |
![]() | MM292 | MM292 MITSUMI SOP28 | MM292.pdf | |
![]() | A432LP | A432LP GE SMD or Through Hole | A432LP.pdf | |
![]() | 20FLT-SM1-TB | 20FLT-SM1-TB JST SMD or Through Hole | 20FLT-SM1-TB.pdf | |
![]() | S74FCT245TQ | S74FCT245TQ QUA SOIC | S74FCT245TQ.pdf | |
![]() | ERJ8ENF1270V | ERJ8ENF1270V PAN RES | ERJ8ENF1270V.pdf |