창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN357N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDN357N Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.9nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 235pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN357NTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDN357N | |
관련 링크 | FDN3, FDN357N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
272240103 | 272240103 BOSCH CJ125Series5.25V | 272240103.pdf | ||
SICFHPE04BK | SICFHPE04BK FCIAUTO Call | SICFHPE04BK.pdf | ||
BYT261PIV-1000 | BYT261PIV-1000 ST ISOTOP | BYT261PIV-1000.pdf | ||
TPS76305DBVR | TPS76305DBVR TI SOT23-5 | TPS76305DBVR.pdf | ||
29401 | 29401 TI TSSOP8 | 29401.pdf | ||
630v/33nf/1206 | 630v/33nf/1206 HEC 1206 | 630v/33nf/1206.pdf | ||
SF48S3V3-25W | SF48S3V3-25W BCT SMD or Through Hole | SF48S3V3-25W.pdf | ||
8Z84 | 8Z84 NO 5 SOT-23 | 8Z84.pdf | ||
DF2239TE20V | DF2239TE20V RENESAS NA | DF2239TE20V.pdf | ||
SST88E564RD-40-C-NJE | SST88E564RD-40-C-NJE SST PLCC | SST88E564RD-40-C-NJE.pdf | ||
150UH-1016 | 150UH-1016 LY SMD or Through Hole | 150UH-1016.pdf | ||
0402 270R 1% | 0402 270R 1% N/A SMD or Through Hole | 0402 270R 1%.pdf |