창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMT800100DC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMT800100DC | |
| 주요제품 | Dual Cool™ 88 Power Trench® MOSFETsDual Cool™ 88 Power Trench® MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | Dual Cool™, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 162A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.95m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 111nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7835pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(8x8) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMT800100DCTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMT800100DC | |
| 관련 링크 | FDMT800, FDMT800100DC 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F374XXAKR | 37.4MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F374XXAKR.pdf | |
![]() | CW010R44 OHM00KE12 | RES 0.44 OHM 13W 10% AXIAL | CW010R44 OHM00KE12.pdf | |
![]() | CPL05R0200FE31 | RES 0.02 OHM 5W 1% AXIAL | CPL05R0200FE31.pdf | |
![]() | JAN1N3024B-1 | JAN1N3024B-1 NS SMD or Through Hole | JAN1N3024B-1.pdf | |
![]() | FHX13LG | FHX13LG FUJITSU SMD or Through Hole | FHX13LG.pdf | |
![]() | RK73B2ATTDJ | RK73B2ATTDJ KOA SMD or Through Hole | RK73B2ATTDJ.pdf | |
![]() | FBE20L | FBE20L IR TO-263 | FBE20L.pdf | |
![]() | LT1031RCH | LT1031RCH LT SMD or Through Hole | LT1031RCH.pdf | |
![]() | AC163020 | AC163020 Mirochip SMD or Through Hole | AC163020.pdf | |
![]() | IRF7303(white) | IRF7303(white) IOR SMD or Through Hole | IRF7303(white).pdf | |
![]() | UPD753012AGC | UPD753012AGC NEC QFP | UPD753012AGC.pdf | |
![]() | TSQ4273W36 | TSQ4273W36 SANYO QFN6 | TSQ4273W36.pdf |