창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS9410L_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS9410L_F085 Datasheet | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS9410L_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS9410L_F085 | |
| 관련 링크 | FDMS9410, FDMS9410L_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C3225JB1H685K250AB | 6.8µF 50V 세라믹 커패시터 JB 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225JB1H685K250AB.pdf | |
![]() | VJ0402D5R1BXBAJ | 5.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1BXBAJ.pdf | |
![]() | MC10H151L | MC10H151L MOT DIP | MC10H151L.pdf | |
![]() | S10K220 | S10K220 EPCOS DIP | S10K220.pdf | |
![]() | CHP2-100-18R0-G-13-LF | CHP2-100-18R0-G-13-LF IRC SMD | CHP2-100-18R0-G-13-LF.pdf | |
![]() | 06125C223MAT2U | 06125C223MAT2U AVX SMD or Through Hole | 06125C223MAT2U.pdf | |
![]() | 216T9NDBGA13FH | 216T9NDBGA13FH ATI BGA | 216T9NDBGA13FH.pdf | |
![]() | BDP31T/R | BDP31T/R PHILIPS ORIGINAL | BDP31T/R.pdf | |
![]() | A8902LBA | A8902LBA ORIGINAL SOP | A8902LBA.pdf | |
![]() | TMCSB1C106MTRF | TMCSB1C106MTRF HITACHI SMD | TMCSB1C106MTRF.pdf | |
![]() | 3170N7 | 3170N7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3170N7.pdf |