창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86350 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86350 | |
주요제품 | FDMS86350 - 80 V N-Channel PowerTrench® MOSFET Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10680pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86350TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86350 | |
관련 링크 | FDMS8, FDMS86350 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 100126J-MIL | 100126J-MIL NationalSemicondu SMD or Through Hole | 100126J-MIL.pdf | |
![]() | UPD6P8MC-725-5A4-E1-A | UPD6P8MC-725-5A4-E1-A NEC SMD or Through Hole | UPD6P8MC-725-5A4-E1-A.pdf | |
![]() | TR1-M4-3023M-3.3 | TR1-M4-3023M-3.3 MTV SMD | TR1-M4-3023M-3.3.pdf | |
![]() | VTE1063 | VTE1063 PerkinElmer TO-46 | VTE1063.pdf | |
![]() | AS285-PL | AS285-PL Anahchip TO-92(4) | AS285-PL.pdf | |
![]() | UPD65943 | UPD65943 NEC TQFP | UPD65943.pdf | |
![]() | KTA1807 | KTA1807 KEC TO-251 | KTA1807.pdf | |
![]() | MM54HC221AJ/883C | MM54HC221AJ/883C NS CDIP-16 | MM54HC221AJ/883C.pdf | |
![]() | PDTA123JE(27) | PDTA123JE(27) PHILIPS SOT523 | PDTA123JE(27).pdf | |
![]() | HYB1818H256329AF | HYB1818H256329AF QIMONDA BGA | HYB1818H256329AF.pdf | |
![]() | ZM8.2VD | ZM8.2VD ST SMD or Through Hole | ZM8.2VD.pdf | |
![]() | LSR2043 | LSR2043 LIGITEK ROHS | LSR2043.pdf |