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Fairchild Semiconductor FDMS86200

FDMS86200
제조업체 부품 번호
FDMS86200
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 150V POWER56
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내부 부품 번호EIS-FDMS86200
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDMS86200
주요제품Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.6A(Ta), 35A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs18m옴 @ 9.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs46nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2715pF @ 75V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지Power56
표준 포장 3,000
다른 이름FDMS86200TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDMS86200
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