창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86102LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86102LZ | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta), 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1305pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86102LZ-ND FDMS86102LZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86102LZ | |
관련 링크 | FDMS86, FDMS86102LZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
FWS-12A20FI | FUSE CARTRIDGE 12A 1.4KVAC/1KVDC | FWS-12A20FI.pdf | ||
RT2512FKE071K8L | RES SMD 1.8K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE071K8L.pdf | ||
F2370VFQ34VH8S | F2370VFQ34VH8S HITACHI QFP | F2370VFQ34VH8S.pdf | ||
LMV651MF/NOPB | LMV651MF/NOPB NS SOT-23 | LMV651MF/NOPB.pdf | ||
TAJC475K035RNJ) | TAJC475K035RNJ) AVX C | TAJC475K035RNJ).pdf | ||
67401XJ | 67401XJ MMI CDIP | 67401XJ.pdf | ||
ST-5R104 | ST-5R104 COPAL SMD or Through Hole | ST-5R104.pdf | ||
ECS-098.438-CDX-037 | ECS-098.438-CDX-037 ECS SMD or Through Hole | ECS-098.438-CDX-037.pdf | ||
AIC-9405W(BQXA530)(BQXA524) | AIC-9405W(BQXA530)(BQXA524) adaptec SMD or Through Hole | AIC-9405W(BQXA530)(BQXA524).pdf | ||
HER103-F | HER103-F RECTRON SMD or Through Hole | HER103-F.pdf | ||
TD62597P | TD62597P TOS DIP | TD62597P.pdf |