창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS8570SDC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS8570SDC | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta), 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2825pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-Dual Cool™56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS8570SDCTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS8570SDC | |
관련 링크 | FDMS85, FDMS8570SDC 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F37422CDR | 37.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37422CDR.pdf | |
PLY10AS2821R2R2B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.2A DCR 500 mOhm | PLY10AS2821R2R2B.pdf | ||
![]() | RNF14DTC20K0 | RES 20K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTC20K0.pdf | |
![]() | Y144221K5000T0L | RES 21.5K OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y144221K5000T0L.pdf | |
![]() | A00084 | A00084 LG SMD or Through Hole | A00084.pdf | |
![]() | 74280BD | 74280BD PHILIPS SO-14 | 74280BD.pdf | |
![]() | MRT1 | MRT1 BEL DIP | MRT1.pdf | |
![]() | 394K63J05L4 | 394K63J05L4 KEMET SMD or Through Hole | 394K63J05L4.pdf | |
![]() | DRJ-12D15 | DRJ-12D15 DEXU SMD | DRJ-12D15.pdf | |
![]() | YGV604F | YGV604F ORIGINAL SMD or Through Hole | YGV604F.pdf | |
![]() | GF3KB | GF3KB TAITRON SMD or Through Hole | GF3KB.pdf | |
![]() | TLSU180P | TLSU180P TOSHIBA ROHS | TLSU180P.pdf |