창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS3686S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS3686S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A, 23A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1785pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS3686S-ND FDMS3686STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS3686S | |
| 관련 링크 | FDMS3, FDMS3686S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 0473.375YRT3L | FUSE BOARD MNT 375MA 125VAC/VDC | 0473.375YRT3L.pdf | |
![]() | CRCW1206383RFHEAP | RES SMD 383 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206383RFHEAP.pdf | |
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![]() | HBCC-0601 | HBCC-0601 HP SOP16 | HBCC-0601.pdf | |
![]() | GSC74DT426BM02 | GSC74DT426BM02 MOTOROLA BGA | GSC74DT426BM02.pdf | |
![]() | LSA0180-004 | LSA0180-004 LSI DIP | LSA0180-004.pdf | |
![]() | LG8734-01A | LG8734-01A LG DIP64 | LG8734-01A.pdf | |
![]() | LA7075 | LA7075 SANYO DIP | LA7075.pdf | |
![]() | LF80539GE0361M | LF80539GE0361M INT SMD or Through Hole | LF80539GE0361M.pdf | |
![]() | B3B-PH-K-K | B3B-PH-K-K JST SMD or Through Hole | B3B-PH-K-K.pdf | |
![]() | NSPC223G16TRB1 | NSPC223G16TRB1 ORIGINAL SMD or Through Hole | NSPC223G16TRB1.pdf |