창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS3624S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS3624S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 25/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.5A, 30A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS3624S-ND FDMS3624STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS3624S | |
| 관련 링크 | FDMS3, FDMS3624S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PAT0603E1422BST1 | RES SMD 14.2KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1422BST1.pdf | |
![]() | HMC643 | HMC643 HITTITE SMD or Through Hole | HMC643.pdf | |
![]() | 89F64-CM | 89F64-CM ATMEL DIP-40 | 89F64-CM.pdf | |
![]() | EZ0A150XSMD | EZ0A150XSMD EPCOS SMD or Through Hole | EZ0A150XSMD.pdf | |
![]() | AD536ASD883B | AD536ASD883B AD DIP | AD536ASD883B.pdf | |
![]() | 150735TRWG | 150735TRWG NS SOP-20 | 150735TRWG.pdf | |
![]() | AAT1112IWP-0.6-T2 | AAT1112IWP-0.6-T2 ORIGINAL TDFN33-12 | AAT1112IWP-0.6-T2.pdf | |
![]() | C1206C105K4RAV7800 | C1206C105K4RAV7800 ORIGINAL SMD or Through Hole | C1206C105K4RAV7800.pdf | |
![]() | LT1085CM/TR | LT1085CM/TR LT TO263 | LT1085CM/TR.pdf | |
![]() | xw17420 | xw17420 ORIGINAL SMD or Through Hole | xw17420.pdf | |
![]() | FR104A | FR104A XUANKAI DO-41 | FR104A.pdf | |
![]() | ECJZEC1E150 | ECJZEC1E150 panasonic SMD | ECJZEC1E150.pdf |