창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS0310S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS0310S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2820pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS0310STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS0310S | |
| 관련 링크 | FDMS0, FDMS0310S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 06035K2R7BAWTR | 2.7pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035K2R7BAWTR.pdf | |
![]() | PHP00603E1021BST1 | RES SMD 1.02K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1021BST1.pdf | |
![]() | E3G-MR19T-G | RETRO, 10M, AC/DC, TIMER | E3G-MR19T-G.pdf | |
![]() | SHM-IC-1/M | SHM-IC-1/M DATEL DIP | SHM-IC-1/M.pdf | |
![]() | SN24775 | SN24775 TI CDIP | SN24775.pdf | |
![]() | Q4065J | Q4065J Teccor/L TO-3P | Q4065J.pdf | |
![]() | NJM082G | NJM082G JRC SMD or Through Hole | NJM082G.pdf | |
![]() | D61010AGD | D61010AGD NEC QFP | D61010AGD.pdf | |
![]() | TESVC1E475M12R 25V4.7UF-C | TESVC1E475M12R 25V4.7UF-C NEC SMD or Through Hole | TESVC1E475M12R 25V4.7UF-C.pdf | |
![]() | SOD1H7 SOD-123FL | SOD1H7 SOD-123FL ORIGINAL SMD or Through Hole | SOD1H7 SOD-123FL.pdf |