창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS030N06B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS030N06B | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.1A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7560pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS030N06B-ND FDMS030N06BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS030N06B | |
| 관련 링크 | FDMS03, FDMS030N06B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RG1005N-4321-D-T10 | RES SMD 4.32KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-4321-D-T10.pdf | |
![]() | 4814P-T01-561LF | RES ARRAY 7 RES 560 OHM 14SOIC | 4814P-T01-561LF.pdf | |
![]() | 29739-002 | 29739-002 ORIGINAL QFP | 29739-002.pdf | |
![]() | LGT770-L1-1-0-10 | LGT770-L1-1-0-10 OSRAM SMD or Through Hole | LGT770-L1-1-0-10.pdf | |
![]() | 454001.MRL | 454001.MRL LITTELFUSE 1808 | 454001.MRL.pdf | |
![]() | 7-100400-8 | 7-100400-8 TE/Tyco/AMP Connector | 7-100400-8.pdf | |
![]() | IRGS4B60KD1 | IRGS4B60KD1 IR D2-PAK | IRGS4B60KD1 .pdf | |
![]() | SPAKXC56303GC00 | SPAKXC56303GC00 N/A N A | SPAKXC56303GC00.pdf | |
![]() | EP3SE260F1152I3N | EP3SE260F1152I3N ALTERA BGA | EP3SE260F1152I3N.pdf | |
![]() | MLM211AG | MLM211AG MOT TO-99 | MLM211AG.pdf | |
![]() | 293D106X9016C2T(16V10UF) | 293D106X9016C2T(16V10UF) VISHAY C | 293D106X9016C2T(16V10UF).pdf | |
![]() | HC09 | HC09 ORIGINAL SMD-14 | HC09.pdf |