Fairchild Semiconductor FDMQ8203
- 제조업체 부품 번호
- FDMQ8203
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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FDMQ8203 가격 및 조달
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8550 조각
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FDMQ8203 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMQ8203 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMQ8203 | |
| 비디오 파일 | Fairchild FDMQ8205 GreenBridge 2 MOSFET | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | GreenBridge™ Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | GreenBridge™ PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V, 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A, 2.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 12-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 12-MLP(5x4.5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMQ8203-ND FDMQ8203TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMQ8203 | |
| 관련 링크 | FDMQ, FDMQ8203 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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