Fairchild Semiconductor FDMD8560L
- 제조업체 부품 번호
- FDMD8560L
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
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8550 조각
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FDMD8560L 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD8560L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD8560L | |
| 애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation Power MOSFET Avalanche Guideline | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDMD8560L Material Declaration FDMD8560L Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A, 93A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 128nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11130pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-Power 5x6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD8560LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD8560L | |
| 관련 링크 | FDMD8, FDMD8560L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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