창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD85100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD85100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.9m옴 @ 10.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2230pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-Power 5x6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD85100TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD85100 | |
| 관련 링크 | FDMD8, FDMD85100 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B43501A5187M7 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 740 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501A5187M7.pdf | |
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![]() | 3090-470J | 47nH Unshielded Inductor 830mA 110 mOhm Max 2-SMD | 3090-470J.pdf | |
![]() | USF560B | USF560B ORIGINAL D2PAK | USF560B.pdf | |
![]() | MP1484EN/MP1584EN-LF | MP1484EN/MP1584EN-LF n/a SMD or Through Hole | MP1484EN/MP1584EN-LF.pdf | |
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![]() | AM25LS2568DC | AM25LS2568DC AMD SMD or Through Hole | AM25LS2568DC.pdf | |
![]() | THJB684M035RJN | THJB684M035RJN AVX B | THJB684M035RJN.pdf | |
![]() | 08055J2R6ABTTR | 08055J2R6ABTTR AVX SMD | 08055J2R6ABTTR.pdf | |
![]() | MC9S12G128B | MC9S12G128B MOTOROLA QFP | MC9S12G128B.pdf |