창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD82100L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD82100L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.5m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1585pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 12-PowerWDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 12-Power3.3x5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD82100LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD82100L | |
| 관련 링크 | FDMD82, FDMD82100L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F44012ADR | 44MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44012ADR.pdf | |
![]() | 4310R-101-475LF | RES ARRAY 9 RES 4.7M OHM 10SIP | 4310R-101-475LF.pdf | |
![]() | ICL7555CBAZ(2.5/RELL) | ICL7555CBAZ(2.5/RELL) intersil SOP-8 | ICL7555CBAZ(2.5/RELL).pdf | |
![]() | NSF03A40G-TE16L | NSF03A40G-TE16L ORIGINAL O-NEW | NSF03A40G-TE16L.pdf | |
![]() | NT1065N | NT1065N ORIGINAL SOP8 | NT1065N.pdf | |
![]() | 2SC3180 | 2SC3180 SANKEN TO-3P | 2SC3180.pdf | |
![]() | ADA4960-1ACPZ-R2 | ADA4960-1ACPZ-R2 AD SMD or Through Hole | ADA4960-1ACPZ-R2.pdf | |
![]() | MFC2100A | MFC2100A synergymwave SMD or Through Hole | MFC2100A.pdf | |
![]() | AD5171BRJ-50-R7 | AD5171BRJ-50-R7 AD SOT23-8 | AD5171BRJ-50-R7.pdf | |
![]() | 0402F152M250NT | 0402F152M250NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402F152M250NT.pdf | |
![]() | RH03A3AJ3X 2.2K | RH03A3AJ3X 2.2K ALPS 332K | RH03A3AJ3X 2.2K.pdf | |
![]() | R6749-25(RC336ACFA) | R6749-25(RC336ACFA) ROCKWELL PLCC-68 | R6749-25(RC336ACFA).pdf |