홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » FDMD82100L

Fairchild Semiconductor FDMD82100L

FDMD82100L
제조업체 부품 번호
FDMD82100L
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
데이터 시트 다운로드
다운로드
FDMD82100L 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,111.96800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FDMD82100L 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDMD82100L 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDMD82100L가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FDMD82100L 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDMD82100L 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDMD82100L
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDMD82100L
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs19.5m옴 @ 7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1585pF @ 50V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스12-PowerWDFN
공급 장치 패키지12-Power3.3x5
표준 포장 3,000
다른 이름FDMD82100LTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDMD82100L
관련 링크FDMD82, FDMD82100L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FDMD82100L 의 관련 제품
125MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 60mA Enable/Disable CB3LV-3I-125M0000.pdf
RES SMD 1.47K OHM 1% 1/20W 0201 RC0201FR-071K47L.pdf
RES SMD 430 OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRD07430RL.pdf
S197 skyworks SMD or Through Hole S197.pdf
LTL-1LHAE-002A LITEON LED LTL-1LHAE-002A.pdf
89F58 SST PLCC 89F58.pdf
400UF/125V ORIGINAL SMD or Through Hole 400UF/125V.pdf
SG250S-C0 ORIGINAL SMD or Through Hole SG250S-C0.pdf
RR1220R-124-B-T5 ORIGINAL SMD or Through Hole RR1220R-124-B-T5.pdf
9704908018 FGL QFP52 9704908018.pdf
88E8059 MARVELL QFN 88E8059.pdf
SDC4D28CLD-220N-LF coilmaster NA SDC4D28CLD-220N-LF.pdf