창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC86520L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC86520L | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.5A(Ta), 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4550pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3), Power33 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC86520LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC86520L | |
| 관련 링크 | FDMC86, FDMC86520L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 7V-26.000MAHJ-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-26.000MAHJ-T.pdf | |
![]() | UNR911LJ0L | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | UNR911LJ0L.pdf | |
![]() | PFC10-1K1F1 | RES SMD 1.1K OHM 1% 25W PFC10 | PFC10-1K1F1.pdf | |
![]() | CB2JB2R70 | RES 2.7 OHM 2W 5% CERAMIC WW | CB2JB2R70.pdf | |
![]() | B2-123R3SH | B2-123R3SH BOTHHAND SIP | B2-123R3SH.pdf | |
![]() | LB3500. | LB3500. SANYO SMD or Through Hole | LB3500..pdf | |
![]() | 380N | 380N ORIGINAL DIPSOP | 380N.pdf | |
![]() | 21M01-IIA8-RX80E0 IA8-RX80E | 21M01-IIA8-RX80E0 IA8-RX80E SYNCOMM LQFP-801010mm | 21M01-IIA8-RX80E0 IA8-RX80E.pdf | |
![]() | 3316P1200GLF | 3316P1200GLF BRN SMD or Through Hole | 3316P1200GLF.pdf | |
![]() | L3010C470MDWDT | L3010C470MDWDT KEMET SMD | L3010C470MDWDT.pdf | |
![]() | GS1JBL | GS1JBL PANJIT DO-214AC | GS1JBL.pdf | |
![]() | TMP87CH31N-3440 | TMP87CH31N-3440 TOSHIBA DIP42 | TMP87CH31N-3440.pdf |