창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC86340ET80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC86340ET80 | |
주요제품 | Extended Temperature Family of Mid-voltage MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 68A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2775pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC86340ET80TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC86340ET80 | |
관련 링크 | FDMC863, FDMC86340ET80 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT3809AI-G-28SG | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 36mA Standby | SIT3809AI-G-28SG.pdf | |
![]() | 103-271HS | 270nH Unshielded Inductor 650mA 230 mOhm Max 2-SMD | 103-271HS.pdf | |
![]() | ERJ-1GNF3240C | RES SMD 324 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF3240C.pdf | |
![]() | HY1803D | HY1803D MAXIM SOD-323 | HY1803D.pdf | |
![]() | SP3723DBAOPM | SP3723DBAOPM TI QFP | SP3723DBAOPM.pdf | |
![]() | SR2100S | SR2100S MIC DO-15 | SR2100S.pdf | |
![]() | X9BSL | X9BSL MT BGA | X9BSL.pdf | |
![]() | IP-210-CU | IP-210-CU IP SMD or Through Hole | IP-210-CU.pdf | |
![]() | RK73H1JTTD38R3F | RK73H1JTTD38R3F KOA SMD or Through Hole | RK73H1JTTD38R3F.pdf | |
![]() | TJ7465V1B1 | TJ7465V1B1 MXIC QFP | TJ7465V1B1.pdf | |
![]() | M2B15AA5G30-RO | M2B15AA5G30-RO NKKSwitches SMD or Through Hole | M2B15AA5G30-RO.pdf |