창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC86259P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC86259P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta), 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 107m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2045pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power33 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC86259PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC86259P | |
| 관련 링크 | FDMC86, FDMC86259P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SFR16S0001871FR500 | RES 1.87K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001871FR500.pdf | |
![]() | 046269018001829+ | 046269018001829+ kyocera SMD-connectors | 046269018001829+.pdf | |
![]() | P89V51RB2=W78E054 | P89V51RB2=W78E054 NXP SMD or Through Hole | P89V51RB2=W78E054.pdf | |
![]() | G07900-GSN-A2 | G07900-GSN-A2 ORIGINAL BGA | G07900-GSN-A2.pdf | |
![]() | AD550LD | AD550LD AD DIP | AD550LD.pdf | |
![]() | B6B-ZR-SM4-TFZ | B6B-ZR-SM4-TFZ JST SMD or Through Hole | B6B-ZR-SM4-TFZ.pdf | |
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![]() | DD107-63B472K50/CK45B1H | DD107-63B472K50/CK45B1H MURATA SMD or Through Hole | DD107-63B472K50/CK45B1H.pdf | |
![]() | JWI0805C-R22J | JWI0805C-R22J ORIGINAL SMD or Through Hole | JWI0805C-R22J.pdf | |
![]() | NN5198K(SK) | NN5198K(SK) Panasonic DIP | NN5198K(SK).pdf | |
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