창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC86102L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC86102L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta), 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1330pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC86102L-ND FDMC86102LFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC86102L | |
| 관련 링크 | FDMC86, FDMC86102L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RR02J1R3TB | RES 1.30 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J1R3TB.pdf | |
![]() | SBK201209T-601Y-S | SBK201209T-601Y-S GC 0805-600R | SBK201209T-601Y-S.pdf | |
![]() | GAL1-21 | GAL1-21 RH SOT-89 | GAL1-21.pdf | |
![]() | HG62S125R28F-V2 | HG62S125R28F-V2 MEISEI QFP | HG62S125R28F-V2.pdf | |
![]() | ABM3-24.576MHZ | ABM3-24.576MHZ ABRACON SMD | ABM3-24.576MHZ.pdf | |
![]() | NTCCM16084LH683KC | NTCCM16084LH683KC TDK SMD or Through Hole | NTCCM16084LH683KC.pdf | |
![]() | SMBH-12VDC-FL-2B | SMBH-12VDC-FL-2B ORIGINAL SMD or Through Hole | SMBH-12VDC-FL-2B.pdf | |
![]() | 4614X-101-510LF | 4614X-101-510LF BOURNS DIP | 4614X-101-510LF.pdf | |
![]() | 0603-100RF | 0603-100RF ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-100RF.pdf | |
![]() | UTM4052L-S0 | UTM4052L-S0 UTC SMD or Through Hole | UTM4052L-S0.pdf |