창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC8588 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC8588 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.5A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1228pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC8588-ND FDMC8588TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC8588 | |
| 관련 링크 | FDMC, FDMC8588 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | GRM1886S1H5R3DZ01D | 5.3pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886S1H5R3DZ01D.pdf | |
![]() | 0819R-68G | 68µH Unshielded Molded Inductor 64mA 11.5 Ohm Max Axial | 0819R-68G.pdf | |
![]() | AA1210FR-0711KL | RES SMD 11K OHM 1% 1/2W 1210 | AA1210FR-0711KL.pdf | |
![]() | Y162460R4000B0R | RES SMD 60.4 OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y162460R4000B0R.pdf | |
![]() | A-USBS-A | A-USBS-A ORIGINAL SMD or Through Hole | A-USBS-A.pdf | |
![]() | S6200B | S6200B MOTOROLA SMD or Through Hole | S6200B.pdf | |
![]() | NSL-JG008 | NSL-JG008 NSL SMD or Through Hole | NSL-JG008.pdf | |
![]() | P80C852FBP.FFP | P80C852FBP.FFP PHI DIP40 | P80C852FBP.FFP.pdf | |
![]() | QS8202-25JR | QS8202-25JR QUALITY PLCC32 | QS8202-25JR.pdf | |
![]() | MH89760H3163 | MH89760H3163 MITEL SMD or Through Hole | MH89760H3163.pdf |