창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC8200S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC8200S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A, 8.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW, 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC8200S-ND FDMC8200STR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC8200S | |
관련 링크 | FDMC8, FDMC8200S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGJ4C3C0G2D821J060AA | 820pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | CGJ4C3C0G2D821J060AA.pdf | |
![]() | LBC2016T1R5M | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 150 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBC2016T1R5M.pdf | |
![]() | AF0603FR-0751KL | RES SMD 51K OHM 1% 1/10W 0603 | AF0603FR-0751KL.pdf | |
![]() | RCP1206B200RGEB | RES SMD 200 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B200RGEB.pdf | |
![]() | BF1012 E6327 | BF1012 E6327 INFINEON MYS 143 | BF1012 E6327.pdf | |
![]() | 2B-14 | 2B-14 ORIGINAL NEW | 2B-14.pdf | |
![]() | SBY100505T-220Y-N | SBY100505T-220Y-N CHILISIN SMD | SBY100505T-220Y-N.pdf | |
![]() | 2SB1115(YM/YL/YK) | 2SB1115(YM/YL/YK) NEC SOT-89 | 2SB1115(YM/YL/YK).pdf | |
![]() | 412380S | 412380S NS QFN | 412380S.pdf | |
![]() | 988-2645-001 | 988-2645-001 ORIGINAL SOP12 | 988-2645-001.pdf | |
![]() | ENE-MZ-F1SQ3535-3T5050 | ENE-MZ-F1SQ3535-3T5050 ORIGINAL SMD or Through Hole | ENE-MZ-F1SQ3535-3T5050.pdf | |
![]() | CXG1004MT4 | CXG1004MT4 SONY SMD or Through Hole | CXG1004MT4.pdf |