창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC7200 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC7200 | |
| PCN 조립/원산지 | Mult Device Assembly Site Chg 18/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A, 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23.5m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW, 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power33 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC7200TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC7200 | |
| 관련 링크 | FDMC, FDMC7200 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1H9R2BA01D | 9.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H9R2BA01D.pdf | |
![]() | 22251A822JAT2A | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 22251A822JAT2A.pdf | |
![]() | Y011012K0000S9L | RES 12K OHM 2.5W 0.001% AXIAL | Y011012K0000S9L.pdf | |
![]() | APXM250ARA270MF60G | APXM250ARA270MF60G NIPPON 6.3X6 | APXM250ARA270MF60G.pdf | |
![]() | 0.5W19V | 0.5W19V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0.5W19V.pdf | |
![]() | M50560-193FP | M50560-193FP ORIGINAL SOP24 | M50560-193FP.pdf | |
![]() | MAX895LESA-T | MAX895LESA-T MAX Call | MAX895LESA-T.pdf | |
![]() | MB89935BFPV-G-120- | MB89935BFPV-G-120- FUJ SSOP | MB89935BFPV-G-120-.pdf | |
![]() | 12CWQ04NL | 12CWQ04NL IR TO-252 | 12CWQ04NL.pdf | |
![]() | 14910A0BHSX10103KA | 14910A0BHSX10103KA Vishay SMD or Through Hole | 14910A0BHSX10103KA.pdf | |
![]() | 1076.3V10%D | 1076.3V10%D avetron SMD or Through Hole | 1076.3V10%D.pdf |