창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMB2307NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMB2307NZ | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MLP(2x3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMB2307NZFSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMB2307NZ | |
관련 링크 | FDMB23, FDMB2307NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
C1206X333KBRACTU | 0.033µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206X333KBRACTU.pdf | ||
C1812P104K5XRH7189 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.125" W(4.57mm x 3.18mm) | C1812P104K5XRH7189.pdf | ||
445I32K13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32K13M00000.pdf | ||
CMF5522R000FKEB | RES 22 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5522R000FKEB.pdf | ||
IDT72215LB10PF | IDT72215LB10PF IDT QFP | IDT72215LB10PF.pdf | ||
VHE804 | VHE804 MSC SMD or Through Hole | VHE804.pdf | ||
CS5532B-SZ | CS5532B-SZ ORIGINAL SOP | CS5532B-SZ.pdf | ||
7041C54800NL | 7041C54800NL TI DIP-40 | 7041C54800NL.pdf | ||
STR731-SK/IAR | STR731-SK/IAR STM SMD or Through Hole | STR731-SK/IAR.pdf | ||
1812A103JXAT | 1812A103JXAT AVX SMD or Through Hole | 1812A103JXAT.pdf | ||
PLF10140T-470M1R3 | PLF10140T-470M1R3 TDK SMD or Through Hole | PLF10140T-470M1R3.pdf |