창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMA8884 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMA8884 | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Ta), 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMA8884-ND FDMA8884TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMA8884 | |
관련 링크 | FDMA, FDMA8884 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM2195C1H113JA01D | 0.011µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C1H113JA01D.pdf | ||
564R2DF0Q15 | 15pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 N2200 방사형, 디스크 0.291" Dia(7.40mm) | 564R2DF0Q15.pdf | ||
445A32G12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32G12M00000.pdf | ||
IMP810MEUR+T | IMP810MEUR+T IMP SOT23-3 | IMP810MEUR+T.pdf | ||
HR-11F-12 | HR-11F-12 LAMBDA SMD or Through Hole | HR-11F-12.pdf | ||
SFF1070GA | SFF1070GA ORIGINAL TO-220 | SFF1070GA.pdf | ||
RT8008-ADJ/3.3/3.0 | RT8008-ADJ/3.3/3.0 RT SMD or Through Hole | RT8008-ADJ/3.3/3.0.pdf | ||
NCP3337MN330GEVB | NCP3337MN330GEVB ONSemiconductor SMD or Through Hole | NCP3337MN330GEVB.pdf | ||
54HC16M | 54HC16M ORIGINAL SMD or Through Hole | 54HC16M.pdf | ||
UM704171 | UM704171 ORIGINAL DIP28 | UM704171.pdf | ||
XC17S10LV08I | XC17S10LV08I DALLAS SO-8 | XC17S10LV08I.pdf | ||
KFG1G16Q2C-AEB8T00 | KFG1G16Q2C-AEB8T00 SAMSUNG BGA63 | KFG1G16Q2C-AEB8T00.pdf |