창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMA1024NZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMA1024NZ | |
| PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMA1024NZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMA1024NZ | |
| 관련 링크 | FDMA10, FDMA1024NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CMR05F111GPDP | CMR MICA | CMR05F111GPDP.pdf | |
![]() | VS-20ETF04-M3 | DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC | VS-20ETF04-M3.pdf | |
![]() | RC3216J475CS | RES SMD 4.7M OHM 5% 1/4W 1206 | RC3216J475CS.pdf | |
![]() | AR0805JR-07100RL | RES SMD 100 OHM 5% 1/8W 0805 | AR0805JR-07100RL.pdf | |
![]() | CW010270R0JE123 | RES 270 OHM 13W 5% AXIAL | CW010270R0JE123.pdf | |
![]() | TPDPTB1 | TPDPTB1 MICROCHIP SMD or Through Hole | TPDPTB1.pdf | |
![]() | SG-1501B | SG-1501B ORIGINAL SMD or Through Hole | SG-1501B.pdf | |
![]() | QG80331M667,SL9BF | QG80331M667,SL9BF INTEL SMD or Through Hole | QG80331M667,SL9BF.pdf | |
![]() | TAJB157M002R | TAJB157M002R AVX SMD or Through Hole | TAJB157M002R.pdf | |
![]() | 2N7002A-RTK/H | 2N7002A-RTK/H KEC SMD or Through Hole | 2N7002A-RTK/H.pdf | |
![]() | 24AA256I/P | 24AA256I/P MICROCHIP DIP8 | 24AA256I/P.pdf | |
![]() | UT001 V2B | UT001 V2B ORIGINAL TQFP | UT001 V2B.pdf |