창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDH50N50_F133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDA50N50, FDH50N50 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 137nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6460pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 625W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDH50N50_F133 | |
관련 링크 | FDH50N5, FDH50N50_F133 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ACC630U30 | Contactor Relay | ACC630U30.pdf | |
![]() | C93437 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | C93437.pdf | |
![]() | 63YXH270M16X16 | 63YXH270M16X16 RUBYCON DIP | 63YXH270M16X16.pdf | |
![]() | NJL51216DL | NJL51216DL JRC DIP-6 | NJL51216DL.pdf | |
![]() | MAX560CW1 | MAX560CW1 MAX SOIC | MAX560CW1.pdf | |
![]() | K4H511638F-LCCC- | K4H511638F-LCCC- ORIGINAL TSOP66 | K4H511638F-LCCC-.pdf | |
![]() | M6120GB | M6120GB MIT SMD or Through Hole | M6120GB.pdf | |
![]() | 1431I | 1431I ST SOP8 | 1431I.pdf | |
![]() | XC2S50E-FT256AGT | XC2S50E-FT256AGT XILINX BGA | XC2S50E-FT256AGT.pdf | |
![]() | SMBJ200ATR-13 | SMBJ200ATR-13 microsemi DO-214AA | SMBJ200ATR-13.pdf | |
![]() | RN5RL50AA-TR / E0DE | RN5RL50AA-TR / E0DE RICOH SOT-153 | RN5RL50AA-TR / E0DE.pdf | |
![]() | VKA100LS2V5F | VKA100LS2V5F TECHNOLOGIES DIPMODULE | VKA100LS2V5F.pdf |