창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDG6332C_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDG6332C_F085 | |
비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA, 600mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 700mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 113pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDG6332C_F085FSTR FDG6332C_F085TR FDG6332C_F085TR-ND FDG6332CF085 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDG6332C_F085 | |
관련 링크 | FDG6332, FDG6332C_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRJ21BR72E103KWJ3L | 10000pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRJ21BR72E103KWJ3L.pdf | |
![]() | VS-1N3765 | DIODE GEN PURP 700V 35A DO203AB | VS-1N3765.pdf | |
![]() | CMPTA64 TR | TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23 | CMPTA64 TR.pdf | |
![]() | V23806-A84-C2 (SM- | V23806-A84-C2 (SM- SIEMENS 15Tube | V23806-A84-C2 (SM-.pdf | |
![]() | ICL301A | ICL301A ORIGINAL CAN8 | ICL301A.pdf | |
![]() | B0530 | B0530 ORIGINAL SOD-123 | B0530.pdf | |
![]() | 2SD1306NETL-E | 2SD1306NETL-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SD1306NETL-E.pdf | |
![]() | BAV103 D | BAV103 D ITT SMD or Through Hole | BAV103 D.pdf | |
![]() | B57471V2472H062 | B57471V2472H062 EPCOS SMD | B57471V2472H062.pdf | |
![]() | RS-2407S | RS-2407S ORIGINAL SMD or Through Hole | RS-2407S.pdf | |
![]() | TL2543 | TL2543 TI DIP-20 | TL2543.pdf | |
![]() | LMTZJ33C | LMTZJ33C LRC DO-35 | LMTZJ33C.pdf |