창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDG6317NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDG6317NZ | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 700mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 66.5pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDG6317NZ-ND FDG6317NZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDG6317NZ | |
관련 링크 | FDG63, FDG6317NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CR1206-FX-3921ELF | RES SMD 3.92K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-3921ELF.pdf | |
![]() | STB6516 | STB6516 EIC SMB | STB6516.pdf | |
![]() | CY7C291CL-35WC | CY7C291CL-35WC CY CDIP24 | CY7C291CL-35WC.pdf | |
![]() | HYE18L128160BF-7.5 | HYE18L128160BF-7.5 INFINEON BGA | HYE18L128160BF-7.5.pdf | |
![]() | ISL60002DAH333Z | ISL60002DAH333Z INTER SOT23-3 | ISL60002DAH333Z.pdf | |
![]() | EC3H06B | EC3H06B SANYO SMD or Through Hole | EC3H06B.pdf | |
![]() | EP4SE290F35C2N | EP4SE290F35C2N ALTERA BGA | EP4SE290F35C2N.pdf | |
![]() | 2SA1980UFS | 2SA1980UFS AUK SOT-323F | 2SA1980UFS.pdf | |
![]() | F74LS393 | F74LS393 INBOND DIP | F74LS393.pdf | |
![]() | ZN435E | ZN435E ORIGINAL SMD or Through Hole | ZN435E.pdf | |
![]() | L7250E.1.2 | L7250E.1.2 STM QFP-64 | L7250E.1.2.pdf | |
![]() | P22TG-2405E2:1MLF | P22TG-2405E2:1MLF PEAK SMD or Through Hole | P22TG-2405E2:1MLF.pdf |