창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDFS2P753Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDFS2P753Z | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDFS2P753ZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDFS2P753Z | |
| 관련 링크 | FDFS2P, FDFS2P753Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE300-G | TVS DIODE 243VWM 430VC DO15 | P6KE300-G.pdf | |
![]() | LPS44 | AC/DC CONVERTER 15V 40W | LPS44.pdf | |
| RSMF1JB6R80 | RES MO 1W 6.8 OHM 5% AXIAL | RSMF1JB6R80.pdf | ||
![]() | CMF5522K000FKR6 | RES 22K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5522K000FKR6.pdf | |
![]() | OP42BZ | OP42BZ AD CDIP | OP42BZ.pdf | |
![]() | 1-640453-0 | 1-640453-0 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1-640453-0.pdf | |
![]() | 2001-5003-02 | 2001-5003-02 TYCO SMD or Through Hole | 2001-5003-02.pdf | |
![]() | ABM3B-14.7456MHZ-10-1-G-T | ABM3B-14.7456MHZ-10-1-G-T ABRACON ABM3B-14.7456MHZ-10- | ABM3B-14.7456MHZ-10-1-G-T.pdf | |
![]() | TLP221 | TLP221 TOSHIBA DIP | TLP221.pdf | |
![]() | 226M050 | 226M050 AVX SMD or Through Hole | 226M050.pdf | |
![]() | ALD12A48N-6L | ALD12A48N-6L ORIGINAL SMD or Through Hole | ALD12A48N-6L.pdf | |
![]() | SSPL5505 | SSPL5505 S TO-220 | SSPL5505.pdf |