창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDFMA2N028Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDFMA2N028Z | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 68m옴 @ 3.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDFMA2N028ZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDFMA2N028Z | |
관련 링크 | FDFMA2, FDFMA2N028Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VDRS07H300BSE | VARISTOR 470V 1.2KA DISC 9MM | VDRS07H300BSE.pdf | ||
1N5817 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 | 1N5817.pdf | ||
MRF904 | TRANS NPN 15V 30MA TO-72 | MRF904.pdf | ||
SD217DE | SD217DE CAL 4L | SD217DE.pdf | ||
FC1304 | FC1304 KTC QFP128 | FC1304.pdf | ||
LA3241S | LA3241S SANYO DIP-24 | LA3241S.pdf | ||
STPS16170CT | STPS16170CT ST TO220ABNONISOL | STPS16170CT.pdf | ||
PCM6000 | PCM6000 PHILIPS SMD or Through Hole | PCM6000.pdf | ||
CHP1-100-1001-J | CHP1-100-1001-J IRC-B SMD or Through Hole | CHP1-100-1001-J.pdf | ||
FS3TM-16 | FS3TM-16 MIT SMD or Through Hole | FS3TM-16.pdf | ||
RD-728S | RD-728S ORIGINAL SMD or Through Hole | RD-728S.pdf | ||
SDRH103R-2R2M | SDRH103R-2R2M Sunlord SMD | SDRH103R-2R2M.pdf |