창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD8870 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD8870, FDU8870 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta), 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5160pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD8870-ND FDD8870FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD8870 | |
관련 링크 | FDD8, FDD8870 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
35YXG3900M18X40 | 3900µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | 35YXG3900M18X40.pdf | ||
AQ147M1R8BAJME | 1.8pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M1R8BAJME.pdf | ||
CR0805-J/-1R2ELF | RES SMD 1.2 OHM 5% 1/8W 0805 | CR0805-J/-1R2ELF.pdf | ||
CSR2010JTR150 | RES SMD 0.15 OHM 5% 1W 2010 | CSR2010JTR150.pdf | ||
1N5287 | 1N5287 CentralSemiconductor SMD or Through Hole | 1N5287.pdf | ||
N87C58336326 | N87C58336326 INTEL PLCC44 | N87C58336326.pdf | ||
EPM8282ATC | EPM8282ATC ALTRA SMD or Through Hole | EPM8282ATC.pdf | ||
AT93C57W-10SI-2.7 | AT93C57W-10SI-2.7 ATMEL SOP5.2 | AT93C57W-10SI-2.7.pdf | ||
54S64DMQB-18 | 54S64DMQB-18 F CDIP | 54S64DMQB-18.pdf | ||
LMC6009MT A | LMC6009MT A NS TSSOP | LMC6009MT A.pdf | ||
E1200 | E1200 PHILIPS SSOP | E1200.pdf | ||
2SD1782K HRAT146R | 2SD1782K HRAT146R ROHM SOT-23 | 2SD1782K HRAT146R.pdf |