창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD850N10LD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD850N10LD | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1465pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-5, DPak(4 리드(lead) + 탭), TO-252AD | |
공급 장치 패키지 | TO-252-5 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD850N10LD-ND FDD850N10LDTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD850N10LD | |
관련 링크 | FDD850, FDD850N10LD 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
0473003.YRT3 | FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC AXIAL | 0473003.YRT3.pdf | ||
LQG18HN5N6S00D | 5.6nH Unshielded Multilayer Inductor 430mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQG18HN5N6S00D.pdf | ||
XCR5128-15PC84C | XCR5128-15PC84C ORIGINAL SMD or Through Hole | XCR5128-15PC84C.pdf | ||
MAX4393EUB | MAX4393EUB MAXIM MSOP-10 | MAX4393EUB.pdf | ||
2SC3130-R | 2SC3130-R ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC3130-R.pdf | ||
MIC52033.3BM5 | MIC52033.3BM5 MICREL SMD or Through Hole | MIC52033.3BM5.pdf | ||
CTX01-14724 | CTX01-14724 COOPER SMD or Through Hole | CTX01-14724.pdf | ||
UPD17708GC-583-3B9 | UPD17708GC-583-3B9 NEC QFP | UPD17708GC-583-3B9.pdf | ||
PEB35512H V1.1 | PEB35512H V1.1 QFP Infineon | PEB35512H V1.1.pdf | ||
AD7887BRG4-REEL7 | AD7887BRG4-REEL7 AD Original | AD7887BRG4-REEL7.pdf | ||
KED351RHC | KED351RHC OOH DIP-2 | KED351RHC.pdf | ||
HYB39S64400BT-8 | HYB39S64400BT-8 Siemens TSSOP | HYB39S64400BT-8.pdf |