창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD6N50TM_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD6N50TM_F085 | |
| 비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
| 주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 89W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD6N50TM_F085-ND FDD6N50TM_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD6N50TM_F085 | |
| 관련 링크 | FDD6N50T, FDD6N50TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MAL203038338E3 | 3.3µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 46.5 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 85°C | MAL203038338E3.pdf | |
![]() | 2150R-10F | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 690mA 650 mOhm Max Axial | 2150R-10F.pdf | |
![]() | ERJ-S1TJ750U | RES SMD 75 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-S1TJ750U.pdf | |
![]() | KSPA92/KSPA42 | KSPA92/KSPA42 FSC TO92 | KSPA92/KSPA42.pdf | |
![]() | SC26C92A1N,112 | SC26C92A1N,112 NXP SOT129 | SC26C92A1N,112.pdf | |
![]() | CG2-T6S43 | CG2-T6S43 ORIGINAL BGA-420 | CG2-T6S43.pdf | |
![]() | ICS9222BG-01 | ICS9222BG-01 ICS SMD or Through Hole | ICS9222BG-01.pdf | |
![]() | 30L109 | 30L109 ST SMD or Through Hole | 30L109.pdf | |
![]() | HCGF6A2G562Y | HCGF6A2G562Y HITACHI DIP | HCGF6A2G562Y.pdf | |
![]() | MP9570 | MP9570 MP SOP8 | MP9570.pdf | |
![]() | LWR1740-6EM1 | LWR1740-6EM1 Power-Oneinc SMD or Through Hole | LWR1740-6EM1.pdf |