창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD6N50FTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD6N50F, FDU6N50F | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 2.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 960pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 89W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD6N50FTM-ND FDD6N50FTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD6N50FTM | |
| 관련 링크 | FDD6N5, FDD6N50FTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| EST108M025AL3EA | 1000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 46 mOhm @ 100kHz 10000 Hrs @ 105°C | EST108M025AL3EA.pdf | ||
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![]() | 1580044.REV01 | 1580044.REV01 LIFELINE SOP24W | 1580044.REV01.pdf | |
![]() | LP5951MF-1.8/NOPB | LP5951MF-1.8/NOPB NS SMD or Through Hole | LP5951MF-1.8/NOPB.pdf | |
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![]() | ZT1460 | ZT1460 ZILLTEK SMD or Through Hole | ZT1460.pdf | |
![]() | H2P6008CB | H2P6008CB ORIGINAL SOP | H2P6008CB.pdf | |
![]() | 74AHCT1G08DBVT | 74AHCT1G08DBVT TI SOT-153 | 74AHCT1G08DBVT.pdf | |
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![]() | STPCI0180BTI3 | STPCI0180BTI3 ORIGINAL BGA-388D | STPCI0180BTI3.pdf | |
![]() | 1803617 | 1803617 ORIGINAL N A | 1803617.pdf |