창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD5N50UTM_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD5N50U | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | FRFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD5N50UTM_WS-ND FDD5N50UTM_WSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD5N50UTM_WS | |
관련 링크 | FDD5N50, FDD5N50UTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
BFC238065622 | 6200pF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238065622.pdf | ||
RT0805CRE0720RL | RES SMD 20 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0720RL.pdf | ||
CRCW08055M23FKTA | RES SMD 5.23M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08055M23FKTA.pdf | ||
TM16CQ80 | TM16CQ80 SanRex TO-220 | TM16CQ80.pdf | ||
TL432ACDBVR | TL432ACDBVR TI SMD or Through Hole | TL432ACDBVR.pdf | ||
TC74HCT86AP | TC74HCT86AP TOSHIBA DIP14 | TC74HCT86AP.pdf | ||
87417F2-R/L1A4 | 87417F2-R/L1A4 WINBOND QFP | 87417F2-R/L1A4.pdf | ||
LA45-1 | LA45-1 M/A-COM SMD or Through Hole | LA45-1.pdf | ||
TSL1112RA-680K1R2 | TSL1112RA-680K1R2 TDK SMD or Through Hole | TSL1112RA-680K1R2.pdf | ||
D6300014(BPS-514-ISS4)(694645) | D6300014(BPS-514-ISS4)(694645) VARTA SMD or Through Hole | D6300014(BPS-514-ISS4)(694645).pdf | ||
OMIH-SH-124L,000 | OMIH-SH-124L,000 TYCO DIP SMD | OMIH-SH-124L,000.pdf | ||
HY806 4MM | HY806 4MM HY DIP | HY806 4MM.pdf |