창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD390N15A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD390N15A | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1285pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD390N15ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD390N15A | |
관련 링크 | FDD390, FDD390N15A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | L-05B4N7KV6T | 4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 500 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | L-05B4N7KV6T.pdf | |
![]() | ERJ-1GEF6653C | RES SMD 665K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF6653C.pdf | |
![]() | RV0805FR-0710ML | RES SMD 10M OHM 1% 1/8W 0805 | RV0805FR-0710ML.pdf | |
![]() | AC1210FR-0723K2L | RES SMD 23.2K OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-0723K2L.pdf | |
![]() | CW0104K200JE12 | RES 4.2K OHM 13W 5% AXIAL | CW0104K200JE12.pdf | |
![]() | B1262 | B1262 HIT TO220 | B1262.pdf | |
![]() | VI-26V-CV | VI-26V-CV VICOR SMD or Through Hole | VI-26V-CV.pdf | |
![]() | RD74LVC16244BTEL-E | RD74LVC16244BTEL-E ORIGINAL TSSOP | RD74LVC16244BTEL-E.pdf | |
![]() | LQG21NR10K10T2 | LQG21NR10K10T2 MURATA SMD or Through Hole | LQG21NR10K10T2.pdf | |
![]() | BA6112 | BA6112 ORIGINAL DIP | BA6112.pdf |