Fairchild Semiconductor FDD306P
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FDD306P
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FDD306P 가격 및 조달
가능 수량
18550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 301.41746
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FDD306P 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDD306P 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDD306P가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FDD306P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDD306P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD306P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD306P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 6.7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1290pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD306P-ND FDD306PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD306P | |
| 관련 링크 | FDD3, FDD306P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FDD306P 의 관련 제품
 | 06031C681K4T2A | 680pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C681K4T2A.pdf | |
 | VJ1825A620KBBAT4X | 62pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A620KBBAT4X.pdf | |
 | 402F20412IJR | 20.48MHz ±10ppm 수정 9pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20412IJR.pdf | |
 | RGC0805DTD1M50 | RES SMD 1.5M OHM 0.5% 1/8W 0805 | RGC0805DTD1M50.pdf | |
 | 90J700 | RES 700 OHM 11W 5% AXIAL | 90J700.pdf | |
| LM2576T-AD | LM2576T-AD ORIGINAL TO220 | LM2576T-AD.pdf | |
| MBM29LV800TA-90PFTN-FK | MBM29LV800TA-90PFTN-FK FUJ QFP | MBM29LV800TA-90PFTN-FK.pdf | |
| 541020604 | 541020604 MOLEX SMD | 541020604.pdf | |
| D610A003BZDPA225 | D610A003BZDPA225 N/A SMD or Through Hole | D610A003BZDPA225.pdf | |
| IRFY9130CSCX | IRFY9130CSCX InternationalRectifier SMD or Through Hole | IRFY9130CSCX.pdf |