창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD16AN08A0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD16AN08A0 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1874pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 135W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD16AN08A0-ND FDD16AN08A0TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD16AN08A0 | |
| 관련 링크 | FDD16A, FDD16AN08A0 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | R10A-E1-Z8-S700 | R10A-E1-Z8-S700 ORIGINAL RELAY | R10A-E1-Z8-S700.pdf | |
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![]() | MM95B | MM95B MM SOP-8 | MM95B.pdf | |
![]() | TSL1112RA-221K1R0- | TSL1112RA-221K1R0- TDK DIP | TSL1112RA-221K1R0-.pdf | |
![]() | CX1126 | CX1126 ORIGINAL SMD or Through Hole | CX1126.pdf | |
![]() | SN65HVD3081EP | SN65HVD3081EP TI SMD or Through Hole | SN65HVD3081EP.pdf | |
![]() | PCM1850APJTG4 | PCM1850APJTG4 TI/BB TQFP32 | PCM1850APJTG4.pdf |