창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD10N20LZTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD10N20LZ | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 3.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 585pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD10N20LZTM-ND FDD10N20LZTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD10N20LZTM | |
| 관련 링크 | FDD10N2, FDD10N20LZTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| CGS402T200W4C | 4000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 55 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS402T200W4C.pdf | ||
![]() | 416F50033IDR | 50MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50033IDR.pdf | |
![]() | RT0603FRE0715K4L | RES SMD 15.4K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE0715K4L.pdf | |
![]() | RL0805FR-070R012-0.012R | RL0805FR-070R012-0.012R YAGEO SMD or Through Hole | RL0805FR-070R012-0.012R.pdf | |
![]() | SQ5D02600F2IBA | SQ5D02600F2IBA Samsung SMD or Through Hole | SQ5D02600F2IBA.pdf | |
![]() | NC7WB66K8X NOPB | NC7WB66K8X NOPB FSC US8 | NC7WB66K8X NOPB.pdf | |
![]() | 58272 | 58272 MAGNETICS SMD or Through Hole | 58272.pdf | |
![]() | MAX967CUA+T | MAX967CUA+T MAXIM MSOP8 | MAX967CUA+T.pdf | |
![]() | IRFD2N7005 | IRFD2N7005 ORIGINAL DIP-4 | IRFD2N7005.pdf | |
![]() | L1A3696 | L1A3696 ORIGINAL DIP | L1A3696.pdf |