창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC645N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC645N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 6.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1460pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC645N-ND FDC645NTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC645N | |
관련 링크 | FDC6, FDC645N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CS325S26000000EEQT | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S26000000EEQT.pdf | ||
RG2012V-6490-P-T1 | RES SMD 649 OHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-6490-P-T1.pdf | ||
PLTT0805Z4640QGT5 | RES SMD 464 OHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z4640QGT5.pdf | ||
RNF14DTD24R3 | RES 24.3 OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD24R3.pdf | ||
IMH2T110 | IMH2T110 ROHM SOT163 | IMH2T110.pdf | ||
IL410X016 | IL410X016 VISHAY SMD or Through Hole | IL410X016.pdf | ||
WSI57C291B-45T/35T/5 | WSI57C291B-45T/35T/5 WSI DIP | WSI57C291B-45T/35T/5.pdf | ||
EU235 | EU235 ORIGINAL SMD or Through Hole | EU235.pdf | ||
XPC68DP356ZP25C | XPC68DP356ZP25C MOTOROLA BGA | XPC68DP356ZP25C.pdf | ||
TLP131GB(GB | TLP131GB(GB TOS SOP-5 | TLP131GB(GB.pdf | ||
CS8425 | CS8425 CS PLCC68 | CS8425.pdf | ||
110MT040KB | 110MT040KB IR SMD or Through Hole | 110MT040KB.pdf |