창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC642P_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC642P-F085 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC642P_F085-ND FDC642P_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC642P_F085 | |
관련 링크 | FDC642P, FDC642P_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | PHP00603E1471BST1 | RES SMD 1.47K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1471BST1.pdf | |
![]() | M20198H | M20198H HT DIP32 | M20198H.pdf | |
![]() | MCP130 | MCP130 MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP130.pdf | |
![]() | 10H125, | 10H125, MOT SMD-16 | 10H125,.pdf | |
![]() | SFAF805+G | SFAF805+G S TO | SFAF805+G.pdf | |
![]() | SI9433DYT1 | SI9433DYT1 SILICONIX NA | SI9433DYT1.pdf | |
![]() | T491D156M020AS | T491D156M020AS ORIGINAL SMD or Through Hole | T491D156M020AS.pdf | |
![]() | GRMB104K25C500 | GRMB104K25C500 MURATA SMD or Through Hole | GRMB104K25C500.pdf |