창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC637BNZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC637BNZ | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 6.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 895pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC637BNZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC637BNZ | |
| 관련 링크 | FDC63, FDC637BNZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMBG40A-E3/5B | TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMB | SMBG40A-E3/5B.pdf | |
![]() | PE2010FKM070R07L | RES SMD 0.07 OHM 1% 1/2W 2010 | PE2010FKM070R07L.pdf | |
![]() | UA3086PC | UA3086PC FSC DIP-14 | UA3086PC.pdf | |
![]() | PI74FCT163245CV | PI74FCT163245CV PERICOM SOP | PI74FCT163245CV.pdf | |
![]() | 0805B224K250CT | 0805B224K250CT WALSIN SMD or Through Hole | 0805B224K250CT.pdf | |
![]() | W241024AT-25 | W241024AT-25 WINBOND SOP | W241024AT-25.pdf | |
![]() | W83194BG-118 | W83194BG-118 Winbond SSOP | W83194BG-118.pdf | |
![]() | IC8 | IC8 NS DIP | IC8.pdf | |
![]() | UMH5NTL | UMH5NTL ROHM SOT363 | UMH5NTL.pdf | |
![]() | L91049D | L91049D ORIGINAL SMD or Through Hole | L91049D.pdf | |
![]() | JAN71RIA60 | JAN71RIA60 IR SMD or Through Hole | JAN71RIA60.pdf |