창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC6327C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC6327C | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A, 1.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 2.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC6327C-ND FDC6327CTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC6327C | |
관련 링크 | FDC6, FDC6327C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRM155R61E225KE11D | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155R61E225KE11D.pdf | |
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![]() | CMF602K4420BEBF | RES 2.442K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF602K4420BEBF.pdf | |
![]() | R1114D261D-TR-F | R1114D261D-TR-F RICOH SOT666 | R1114D261D-TR-F.pdf | |
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![]() | S2446 | S2446 ORIGINAL TO-92 | S2446.pdf | |
![]() | 0E5%1/2 | 0E5%1/2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0E5%1/2.pdf | |
![]() | AT27C1024-20LI | AT27C1024-20LI ATMEL PLCC | AT27C1024-20LI.pdf | |
![]() | RJ80535VC6000 | RJ80535VC6000 INTEL SMD or Through Hole | RJ80535VC6000.pdf | |
![]() | SDT7180B | SDT7180B NEWSTAR SIP3 | SDT7180B.pdf | |
![]() | sfh551-1-1v | sfh551-1-1v ava SMD or Through Hole | sfh551-1-1v.pdf |