창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC3535 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC3535 | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 20/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 183m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC3535TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC3535 | |
관련 링크 | FDC3, FDC3535 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MKP385362085JIM2T0 | 0.062µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP385362085JIM2T0.pdf | ||
416F52022CTT | 52MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022CTT.pdf | ||
PHP00805H96R5BBT1 | RES SMD 96.5 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H96R5BBT1.pdf | ||
WB13367X | WB13367X N/A NA | WB13367X.pdf | ||
WSL2512R0500FTA27 | WSL2512R0500FTA27 VISHAY SMD or Through Hole | WSL2512R0500FTA27.pdf | ||
M630-1112 | M630-1112 ORIGINAL SMD | M630-1112.pdf | ||
FHT9014G-A | FHT9014G-A NSCN SOT-23 | FHT9014G-A.pdf | ||
592D156X96R3B2W | 592D156X96R3B2W VISHAY 592D | 592D156X96R3B2W.pdf | ||
UPG152TA-T1B | UPG152TA-T1B NEC SOT23-6 | UPG152TA-T1B.pdf | ||
PSTM8S103F3P6 | PSTM8S103F3P6 ST SMD or Through Hole | PSTM8S103F3P6.pdf |