창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDBL0260N100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDBL0260N100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6 m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 116nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9265pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PSOF | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | FDBL0260N100-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDBL0260N100 | |
| 관련 링크 | FDBL026, FDBL0260N100 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383310040JDI2B0 | 10000pF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP383310040JDI2B0.pdf | |
![]() | RC1206JR-071R2L | RES SMD 1.2 OHM 5% 1/4W 1206 | RC1206JR-071R2L.pdf | |
![]() | CP00055R600KE14 | RES 5.6 OHM 5W 10% AXIAL | CP00055R600KE14.pdf | |
![]() | F3SJ-A1490P20 | F3SJ-A1490P20 | F3SJ-A1490P20.pdf | |
![]() | 20308LE | 20308LE Mini NA | 20308LE.pdf | |
![]() | G6B-2114P-1-USDC5B | G6B-2114P-1-USDC5B OMRON SMD or Through Hole | G6B-2114P-1-USDC5B.pdf | |
![]() | E2E-X10D2 | E2E-X10D2 ORIGINAL SMD or Through Hole | E2E-X10D2.pdf | |
![]() | NMC27C16BQ250 | NMC27C16BQ250 NS SMD or Through Hole | NMC27C16BQ250.pdf | |
![]() | TDT1387 | TDT1387 ORIGINAL SMD or Through Hole | TDT1387.pdf | |
![]() | 309K | 309K ORIGINAL 1206 | 309K.pdf | |
![]() | RTD2553VH-L | RTD2553VH-L REALTEK SMD or Through Hole | RTD2553VH-L.pdf | |
![]() | K4D553238I-GC33 | K4D553238I-GC33 SAM BGA | K4D553238I-GC33.pdf |