창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB8444 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB8444 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 70A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 128nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8035pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 167W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB8444TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB8444 | |
관련 링크 | FDB8, FDB8444 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
0819-54F | 18µH Unshielded Molded Inductor 112mA 3.8 Ohm Max Axial | 0819-54F.pdf | ||
RCP0603B1K80JS2 | RES SMD 1.8K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B1K80JS2.pdf | ||
IR9650 | IR9650 IR SOP-8 | IR9650.pdf | ||
EPM7526BTC144-7N | EPM7526BTC144-7N ALTERA TQFP-144 | EPM7526BTC144-7N.pdf | ||
FH12-30S-0.5SV 80 | FH12-30S-0.5SV 80 HRS SMD or Through Hole | FH12-30S-0.5SV 80.pdf | ||
C1608X5R1H204MT | C1608X5R1H204MT TDK SMD or Through Hole | C1608X5R1H204MT.pdf | ||
MAX8705CSA | MAX8705CSA MAXIM SOP-8 | MAX8705CSA.pdf | ||
MT8575UOU-BSSL | MT8575UOU-BSSL ORIGINAL SMD or Through Hole | MT8575UOU-BSSL.pdf | ||
P04182-04 | P04182-04 ORIGINAL SMD or Through Hole | P04182-04.pdf | ||
09391063+ | 09391063+ ST SOP28 | 09391063+.pdf | ||
TISP61521 | TISP61521 ORIGINAL SOP8 | TISP61521.pdf |